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7bit 光延時器芯片

簡要描述:7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下,硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平,單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產

  • 產品型號:梓冠
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-07-31
  • 訪  問  量:625

詳細介紹

品牌梓冠

硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片


〖簡介Introduction〗

梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時7bit 光延時器芯片路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下,硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平,單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

〖特性Features

n 高速切換

n 高延時精度

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態波導芯片可靠性強

〖應用Applications〗

n 光控相控陣雷達系統、電子對抗系統

主要性能指標 Specifications

性能指標

Parameter

單位

Unit

典型值

Typical value

備注

Notes

延時位數

Delay bits

/

7

可定制

Can be customized

最小延時步進

Min.step-delay

ps

2

可定制

Can be customized

可調節最大延時量     Adjustable max.delay

ps

254


延時偏差

Delay deviation

ps

≤±0.5

≤±1@max

延時切換時間

Delay switching time

µs

≤1


插入損耗

Insertion loss

dB

14


各延時態損耗差異

Delay state loss difference

dB

±0.5


波損耗

Return loss

dB

45


芯片尺寸

Chip dimension

mm

19×11×0.7



 光延時器芯片

7bit 光延時器芯片

7bit 光延時器芯片


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